ic insights的2020年版《mcclean报告》（于1月发布）显示了在过去的50年中，dram，闪存，微处理器和图形处理器如何跟踪moore预测的曲线。
在过去的10到15年中，诸如功耗和与微缩限制相关的挑战等因素已经影响了某些ic产品的晶体管增长率。例如，在2000年代初期，dram晶体管的数量以每年约45％的平均速度增长，但在2016年出现的16gb代次中，其速度下降到约20％。一年前，三星开始批量生产12gb dram和8gb芯片。jedec仍在最终确定的ddr5标准包括单片24gb，32gb和64gb设备。
到2012年左右，闪存密度的年增长率一直保持在55％－60％，但此后一直保持在每年30％－35％。对于传统的2d平面nand闪存，2020年1月可用的单个芯片的最高密度为128gb。对于96层四级单元（qlc）器件，目前3d nand芯片的最大密度为1．33tb。qlc与新的96层技术相结合将使3d nand在2020年达到1．5tb密度，而128层技术将催生2tb芯片。
截止到2010年，英特尔pc处理器中的晶体管数量每年以大约40％的速度增长，但是在随后的几年中，这一比例下降到一半。该公司服务器mpu的晶体管数量增加在2000年代中期至后期暂停，但随后又开始以每年约25％的速度增长。英特尔在2017年停止透露晶体管数量的详细信息。
自2013年以来，用于iphone和ipad的apple a系列应用处理器的晶体管数量以每年43％的速度增长。该比率包括a13处理器及其最新的85亿个晶体管，这是最新的指标。预计在2020年上半年，苹果将推出基于新a13x处理器的ipad pro。
nvidia的高端gpu的晶体管数量非常多。与微处理器不同，gpu及其高度并行的结构不包含大量的缓存。nvidia的一些最新gpu是专门为ai和机器学习设计的神经网络处理单元（npu）。 永远不要低估ic行业创新突破技术障碍的强大动力，但是关于ic设计和制造的方式正在发生一些非常戏剧性的变化。尽管阻碍下一代发展的某些障碍看起来像是高墙，而不是一般的障碍，但摩尔定律仍然在整个集成电路行业中占有一席之地。

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